1991畢業於吉林大學電子科學系，工學學士。畢業後在中韓合資企業大連遠光電子有限公司(中國大連開發區)工作，主要負責半導體發光二極管(led)的研發和生產線的改造。
1994年4月赴日本國立名古屋工業大學學習，學習電氣信息工程(E.E .)，師從Takashi Shinbao教授。1998年3月獲得工學碩士學位，2001年3月獲得工學博士學位。在此期間，我主要從事GaAs基、GaN基等III-V族化合物半導體材料及相關光電器件的MOCVD生長。在博士學習期間，我還被聘為研究助理(RA)和助教(TA)，指導本科生和碩士生的畢業研究。
2006年4月5438+0日至2004年4月，我在富士通量子器件公司(日本嘉福)工作，這是世界上最大的化合物半導體制造商。在此期間，我主要從事10Gp/s和40Gp/s超高速光通信系統的InP基光電探測器的芯片和模塊設計及量產工作。
自2004年5月起，我被中山大學光電材料與技術國家重點實驗室聘為“百人計劃”二類人才，從事光電化合物半導體材料及相關器件的研究和教學工作。