帶有溝槽式源極結構的功率MOS場效應管制造方法
申請號 CN201310314819.0 申請日 2013.07.25
公開（公告）號 CN104241133A 公開（公告）日 2014.12.24
當前法律狀態 實審 有效性 審中
分類號 H01L21/336(2006.01)I; H01L21/28(2006.01)I
申請（專利權）人 俞國慶
地址 215126 江蘇省蘇州市工業園區第五元素13棟2003室
發明（設計）人 俞國慶; 吳勇軍
優先權 2012.07.27 CN 201210262341.7
專利代理機構 代理人
摘要
本發明涉及帶有溝槽式源極結構的功率MOS場效應管制造方法，對單胞陣列中的源極接觸區依次采用光刻、刻蝕以及澱積金屬層制作工藝，且對單胞陣列中的源極接觸區的刻蝕是以同壹次光刻圖形為掩膜，采用幹法刻蝕+濕法腐蝕的組合方式進行，使源極金屬層同時接觸源極區頂部的橫向接觸平臺和源極區側部的縱向接觸側面。本發明所述的功率MOS場效應管制造方法，增加源極金屬層與源極區的接觸面積，從而降低源極金屬接觸電阻，減少能量損耗，改善器件性能。