壹、案由
本復審請求涉及申請號為02805240.4，名稱為“半導體封裝件及其制造方法”的PCT國際申請（下稱本申請）。申請人為陶氏康寧公司（下稱申請人）。本申請的申請日為2002年1月17日、優先權日為2001年2月20日、公開日為2004年7月21日，本申請進入中國國家階段的日期為2003年8月20日。
經實質審查，國家知識產權局專利實質審查部門於2007年4月27日發出駁回決定，駁回了本申請，其中引用了壹篇對比文件，如下：
對比文件1：US4939065A，公開日為1990年7月3日。
其駁回理由是：本申請權利要求第1-7，9，11項相對於對比文件1和公知技術的結合不具備創造性，不符合專利法第22條第3款的規定。駁回決定所依據的文本為：2003年8月20日提交的說明書第1-20頁、說明書附圖第1、2頁及說明書摘要，2007年3月6日提交的權利要求第1-11項。
駁回決定所針對的權利要求書具體如下：
“1.壹種制造帶圖案的膜的方法，該方法的特征在於以下步驟：
(i)將矽氧烷組合物施用到基底表面以形成膜，其中所述矽氧烷組合物包括：
每分子包含平均至少兩個與矽鍵合的鏈烯基基團的有機聚矽氧烷，
每分子包含平均至少兩個與矽鍵合的氫原子的有機矽化合物，其濃度足以固化組合物，和
催化量的光活化矽氫化催化劑；
(ii)將壹部分膜暴露於波長150至800納米的輻照下以制備部分曝光的膜，該部分曝光的膜具有覆蓋了壹部分表面的未曝光區和覆蓋了其余表面的曝光區；
(iii)將該部分曝光的膜加熱壹段時間，如此使得曝光區基本上不溶於顯影溶劑，而未曝光區卻溶於顯影溶劑；
(iv)用顯影溶劑除去加熱膜的未曝光區從而形成帶圖案的膜；和
(v)將帶圖案的膜加熱壹段時間，該加熱時間足以形成固化的矽氧烷層。
2.權利要求1的方法，其中基底包括半導體晶片，表面包括半導體晶片的有源表面，有源表面包括至少壹個集成電路，並且每壹集成電路具有多個接合焊盤。
3.權利要求2的方法，其中晶片還包括緯線。
4. 權利要求1的方法，其中固化的矽氧烷層的厚度是1至50微米。
5. 權利要求1的方法，其中組分(A)是基本上由 R 1 3 SiO 1/2 矽氧烷單元和 SiO 4/2 矽氧烷單元構成的有機聚矽氧烷樹脂，其中每壹R 1 獨立地選自單價烴基團和單價鹵代烴基團，並且有機聚矽氧烷樹脂中 R 1 3 SiO 1/2 單元對 SiO 4/2 單元的摩爾比為0.6至1.9。
6. 權利要求1的方法，其中組分(B)是有機氫聚矽氧烷。
7. 權利要求1的方法，其中組分(B)的濃度足以向組分(A)中每壹鏈烯基提供0.7至1.2個與矽鍵合的氫原子。
8. 權利要求1的方法，其中光活化矽氫化催化劑是鉑(II)β-二酮酸鹽。
9. 權利要求1的方法，其中矽氧烷組合物還包括有機溶劑。
10. 權利要求1的方法，其中組分(C)選自鉑(II)β-二酮酸鹽配合物、(η-環戊二烯基)三烷基鉑配合物、三氮烯氧化物-過渡金屬配合物、(η-二烯烴)(σ-芳基)鉑配合物。
11.壹種由權利要求1-10任壹項的方法制造的半導體封裝件。”。
申請人（下稱復審請求人）對上述駁回決定不服，於2007年8月13日向專利復審委員會提出了復審請求書，及壹份參考文獻，其內容為壹份英文的實驗證詞及其節選的翻譯，沒有提交修改文本。復審請求人認為：本申請中的催化劑與對比文件1中公開的催化劑存在明顯的不同。對比文件1中具體使用了鉑-乙烯基矽氧烷絡合物催化劑，這些催化劑不響應UV輻射，它們在常規狀態下即具備催化活性，即其反應活性基團自身的反應活性並非由升溫或UV輻射帶來，對比文件1中采用UV輻射工藝的作用在於破壞抑制劑的抑制作用，而非使催化劑本身發生光活化。相反，本申請則要求使用光活化的氫化矽烷化催化劑，其基團在基態沒有或僅有不足夠的反應（催化）活性，在經過UV輻射激發後才具有反應（催化）活性。復審請求人所提供的實驗證詞中闡述了對比實驗來證實上述觀點，由此認為本申請權利要求1相對於對比文件1明顯具備創造性，符合專利法第22條第3款的規定。
經形式審查合格，專利復審委員會依法受理了該復審請求，並於2007年9月14日向復審請求人發出復審受理通知書，並將其轉送至原實質審查部門進行前置審查。
原實質審查部門在前置審查意見書中堅持原駁回決定。
隨後，專利復審委員會成立合議組對本案進行審理。
本案合議組於2008年11月26日向復審請求人發出復審通知書，指出：本申請權利要求1-7、9、11得不到說明書的支持，不符合專利法第26條第4款的規定。具體理由是：本申請權利要求1中的“光活化”屬於功能性的限定方式，其表示通過光的照射而具有某種活性的功能，而本申請說明書記載的壹系列具體的催化劑只屬於某種特定的具體類型的催化劑且復審請求人提交的實驗證詞中也僅涉及壹種具體的具有光活化功能的催化劑，所屬技術領域的技術人員不能明了此功能還可采用說明書未記載的其它組合物來完成，因此權利要求1中限定的光活化催化劑包含壹個過大的範圍，得不到說明書的支持。從屬權利要求2-7、9的附加技術特征以及權利要求11中均沒有對該催化劑的類型及具體成分做進壹步限定，因此存在與權利要求1相同的問題，得不到說明書的支持。
對此，復審請求人於2009年1月12日提交了意見陳述書及權利要求書的全文修改替換頁，其中在權利要求1（C）中添加了特征“其中所述光活化矽氫化催化劑包含鉑族金屬，在曝光在波長150至800納米的輻照下和在隨後的加熱下能夠催化組分（A）與組分（B）的矽氫化反應”。復審請求人認為：在本申請之前，現有技術未曾有過使用光活化的矽氫化催化劑用於催化矽氫化反應的教導或者暗示，本申請應享有較寬的保護範圍，且本領域技術人員可以非常容易地通過實施例描述的簡單試驗來確定哪些鉑族金屬的催化劑能夠適用於在曝光在波長150至800納米的輻照下和隨後的加熱下催化組分（A）和組分（B）的矽氫化反應，由此認為本申請權利要求1概括合理得到了說明書的支持。
修改後的權利要求書具體如下：
“1.壹種制造帶圖案的膜的方法，該方法的特征在於以下步驟：
(i)將矽氧烷組合物施用到基底表面以形成膜，其中所述矽氧烷組合物包括：
(A)每分子包含平均至少兩個與矽鍵合的鏈烯基基團的有機聚矽氧烷，
(B)每分子包含平均至少兩個與矽鍵合的氫原子的有機矽化合物，其濃度足以固化組合物，和
(C)催化量的光活化矽氫化催化劑，其中所述光活化矽氫化催化劑包含鉑族金屬，在曝光在波長150至800納米的輻照下和在隨後的加熱下能夠催化組分（A）與組分（B）的矽氫化反應；
(ii)將壹部分膜暴露於波長150至800納米的輻照下以制備部分曝光的膜，該部分曝光的膜具有覆蓋了壹部分表面的未曝光區和覆蓋了其余表面的曝光區；
(iii)將該部分曝光的膜加熱壹段時間，如此使得曝光區基本上不溶於顯影溶劑，而未曝光區卻溶於顯影溶劑；
(iv)用顯影溶劑除去加熱膜的未曝光區從而形成帶圖案的膜；和
(v)將帶圖案的膜加熱壹段時間，該加熱時間足以形成固化的矽氧烷層。
2.權利要求1的方法，其中基底包括半導體晶片，表面包括半導體晶片的有源表面，有源表面包括至少壹個集成電路，並且每壹集成電路具有多個接合焊盤。
3.權利要求2的方法，其中晶片還包括緯線。
4. 權利要求1的方法，其中固化的矽氧烷層的厚度是1至50微米。
5. 權利要求1的方法，其中組分(A)是基本上由 R 1 3 SiO 1/2 矽氧烷單元和 SiO 4/2 矽氧烷單元構成的有機聚矽氧烷樹脂，其中每壹R 1 獨立地選自單價烴基團和單價鹵代烴基團，並且有機聚矽氧烷樹脂中 R 1 3 SiO 1/2 單元對 SiO 4/2 單元的摩爾比為0.6至1.9。
6. 權利要求1的方法，其中組分(B)是有機氫聚矽氧烷。
7. 權利要求1的方法，其中組分(B)的濃度足以向組分(A)中每壹鏈烯基提供0.7至1.2個與矽鍵合的氫原子。
8. 權利要求1的方法，其中光活化矽氫化催化劑是鉑(II)β-二酮酸鹽。
9. 權利要求1的方法，其中矽氧烷組合物還包括有機溶劑。
10. 權利要求1的方法，其中組分(C)選自鉑(II)β-二酮酸鹽配合物、(η-環戊二烯基)三烷基鉑配合物、三氮烯氧化物-過渡金屬配合物、(η-二烯烴)(σ-芳基)鉑配合物。
11.壹種由權利要求1-10任壹項的方法制造的半導體封裝件。”。
在上述程序的基礎上，合議組認為本案事實已經清楚，現依法作出審查決定。
二、決定的理由
1、審查文本的認定
在復審程序中，復審請求人於2009年1月12日提交了權利要求書的全文修改替換頁，其中在權利要求1（C）中添加了特征“其中所述光活化矽氫化催化劑包含鉑族金屬，在曝光在波長150至800納米的輻照下和在隨後的加熱下能夠催化組分（A）與組分（B）的矽氫化反應”來對光活化矽氫化催化劑做進壹步限定。經審查，上述修改在原說明書第8頁倒數第2段中有明確記載，因此該修改符合專利法第33條及專利法實施細則第60條第1款的規定。
本復審決定以復審請求人於2009年1月12日提交的權利要求第1-11項，2003年8月20日提交的說明書第1-20頁、說明書附圖第1、2頁及說明書摘要為基礎作出。
2、關於專利法第26條第4款的問題
專利法第26條第4款規定：權利要求書應當以說明書為依據，說明要求專利保護的範圍。
具體到本案，合議組認為本申請權利要求1-7、9、11得不到說明書支持，不符合專利法第26條第4款的規定。具體理由如下：
本申請權利要求1請求保護壹種制造帶圖案的膜的方法，該方法包括將矽氧烷組合物施用到基底表面以形成膜的步驟，其中所述矽氧烷組合物包括（A）每分子包含平均至少兩個與矽鍵合的鏈烯基基團的有機聚矽氧烷、（B）每分子包含平均至少兩個與矽鍵合的氫原子的有機矽化合物，其濃度足以固化組合物、（C）催化量的光活化矽氫化催化劑，其中所述光活化矽氫化催化劑包含鉑族金屬，在曝光在波長150至800納米的輻照下和在隨後的加熱下能夠催化組分（A）與組分（B）的矽氫化反應。該權利要求1對包含鉑族金屬的矽氫化催化劑采用了功能性的限定方式“光活化”及“在曝光在波長150至800納米的輻照下和在隨後的加熱下能夠催化組分（A）與組分（B）的矽氫化反應”。其中“光活化”催化劑的含義是在光子的激發下使具有催化性質的化學物質，其表示該化學物質通過光的照射而具有某種活性的功能；而“在曝光在波長150至800納米的輻照下和在隨後的加熱下能夠催化組分（A）與組分（B）”的限定，表示在某個反應條件下可以催化某物質的能力，實際上是對能夠實現該反應過程的反應條件進行了限定，上述限定均屬於功能性的限定，而對該催化劑本身的組份或結構配體並沒有限定。雖然復審請求人在此次修改時將光活化矽氫化催化劑進壹步限定為“包含鉑族金屬”，但經過以上述功能性限定方式限定的包含鉑族金屬的矽氫化催化劑仍然概括了壹個過於寬泛的範圍，包含相當多類別的催化性物質，而本申請說明書中（說明書第8頁倒數第1段-第9頁第1段）記載的壹系列具體的催化劑只屬於某種特定的具體類型，即鉑族金屬的壹些具體的矽氫化催化劑，本申請說明書中也並未從化學原理上解釋上述催化劑的工作原理，僅是給出壹系列具體物質，通過將這壹系列具體催化劑物質與（A）、（B）中限定的物質放置壹起，在壹定條件下反應才能實現本發明的帶有圖案的膜，同時在復審請求人提交的實驗證詞中也僅涉及壹種具體的具有光活化功能的催化劑。因此，本申請權利要求1中限定的包含鉑族的光活化催化劑仍包含了壹個過大的範圍，本領域的壹般技術人員僅由說明書記載的壹些具體的催化劑，無法判斷該範圍內的哪些類型的並未記載在本申請中的光活化催化劑可以完成上述功能。因此，權利要求1得不到說明書的支持，不符合專利法第26條第4款的規定。
權利要求2-7、9直接或間接引用權利要求1，其附加技術特征均沒有對該光活化矽氫化催化劑的組份或結構配體做進壹步限定，因此也存在上述得不到說明書支持的問題，不符合專利法第26條第4款的規定。
權利要求11請求保護壹種由權利要求1-10任壹項的方法制造的半導體封裝件，其也沒有對該光活化矽氫化催化劑的組份或結構配體做進壹步限定，因此當其保護壹種由權利要求1-7、9任壹項的方法制造的半導體封裝件時，也存在得不到說明書支持的問題，不符合專利法第26條第4款的規定。
對於復審請求人的意見陳述，合議組經審查認為：審查指南第二部分第二章第3.2.1規定：權利要求所要求保護的技術方案應當是所屬技術領域的技術人員能夠從說明書充分公開的內容中得到或概括得出的技術方案，並且不得超出說明書公開的範圍。本申請權利要求1-7、9、11中的催化劑僅由功能來限定，其限定的範圍包括所有包含鉑族金屬並滿足在曝光在波長150至800納米的輻照下和在隨後的加熱下能夠催化組分（A）與組分（B）的矽氫化反應的光活化矽氫化催化劑，復審請求人強調在本申請之前現有技術未曾使用光活化的矽氫化催化劑用於催化矽氫化反應的教導或暗示，那麽本領域技術人員也就無法知道除了本申請說明書中具體記載的幾種具體催化劑外還有哪些催化劑可以完成上述功能，而且可以催化並不意味可以實現本申請所要實現的預期效果，催化的時間可以很長也可以很短，而作為工業實施使用，並不是該範圍內的所有催化劑都可以解決本申請所要解決的技術問題達到預期的效果，因此所屬技術領域的技術人員不能夠從說明書公開的內容中概括得出權利要求1-7、9、11要求保護的催化劑，復審請求人的理由不成立。
三、決定
維持國家知識產權局於2007年4月27日對本申請作出的駁回決定。
如對本復審請求審查決定不服，根據專利法第41條第2款的規定，復審請求人可以自收到本決定之日起三個月內向北京市第壹中級人民法院起訴。