LED照明研發需要的技術：
1、金屬膜反射技術
透明襯底制程首先起源於美國的HP、Lumileds等公司，金屬膜反射法主要有日本、臺灣廠商進行了大量的研究與發展。這種制程不但回避了透明襯底專利，而且，更利於規模生產。
其效果可以說與透明襯底法具有異曲同工之妙。該制程通常謂之MB制程，首先去除GaAs襯底，然後在其表面與Si基底表面同時蒸鍍Al質金屬膜，然後在壹定的溫度與壓力下熔接在壹起。
如此，從發光層照射到基板的光線被Al質金屬膜層反射至芯片表面，從而使器件的發光效率提高2．5倍以上。
2、表面微結構技術
表面微結構制程是提高器件出光效率的又壹個有效技術，該技術的基本要點是在芯片表面刻蝕大量尺寸為光波長量級的小結構，每個結構呈截角四面體狀，如此不但擴展了出光面積，而且改變了光在芯片表面處的折射方向，從而使透光效率明顯提高。
擴展資料：
其他技術要求
1、倒裝芯片技術
通過MOCVD技術在蘭寶石襯底上生長GaN基LED結構層，由P／N結發光區發出的光透過上面的P型區射出。由於P型GaN傳導性能不佳，為獲得良好的電流擴展，需要通過蒸鍍技術在P區表面形成壹層Ni－Au組成的金屬電極層。
P區引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴展，Ni－Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發光效率就會受到很大影響，通常要同時兼顧電流擴展與出光效率二個因素。
2、芯片鍵合技術
光電子器件對所需要的材料在性能上有壹定的要求，通常都需要有大的帶寬差和在材料的折射指數上要有很大的變化。不幸的是，壹般沒有天然的這種材料。
用同質外延生長技術壹般都不能形成所需要的帶寬差和折射指數差，而用通常的異質外延技術，如在矽片上外延GaAs和InP等，不僅成本較高，而且結合接口的位錯密度也非常高，很難形成高質量的光電子集成器件。