K9F系列是SLC結構的NANDFLASH。
2.K9G系列是壹種MCL結構的NANDFLASH。
首先是訪問次數。理論上，MLC架構只能承載約654.38+0萬次數據寫入，而SLC架構可以承載約654.38+0萬次，是MLC的654.38+0倍。這個10000次指的是數據寫入的次數，而不是數據寫入和讀取的總次數。數據讀取次數對閃存壽命有壹定影響，但絕不像寫入那麽嚴重。
其次是讀寫速度。這裏還有壹個誤解。閃存芯片讀取、寫入或擦除的所有數據都是在閃存控制芯片下完成的，閃存控制芯片的速度決定了讀取、擦除或重寫閃存中數據的速度。SLC技術比MLC技術發展得早得多，與之配套的控制芯片技術已經非常成熟。
第三是功耗。SLC架構每個單元只存儲1位數據，所以只有高低兩個電平，可以用1.8V電壓驅動。而MLC架構每個單元需要存儲多個位，即電平至少要分為4個電平(存儲2位)，所以需要3.3V以上的電壓來驅動。
第四是錯誤率。SLC在壹次讀寫中只有0或1個狀態。這種技術可以提供快速編程和讀取。簡單來說，每個細胞就像我們日常生活中使用的開關，只有兩種狀態，非常穩定。即使壹個電池損壞，也不會影響整體性能。MLC在壹次讀寫中有四種狀態(例如每個單元訪問2位)，這意味著在存儲MLC時要更精確地控制每個存儲單元的充電電壓，讀寫時需要更長的充電時間來保證數據的可靠性。它不再是簡單的開關電路，而是要控制四種不同的狀態，對產品的誤碼率和穩定性要求很大，而壹旦出現錯誤，就會導致兩次甚至更多次的數據損壞，所以MLC對制造工藝和控制芯片的要求更高。
第五是制造成本。MLC技術以前每個單元只能存儲12位數據，現在每個單元可以存儲2位或更多的數據，這是在不增加存儲體大小的前提下實現的，所以同樣容量大小的MLC。
NAND Flash的制造成本遠低於SLC NAND Flash。