王守武(1919年3月15 -2014年7月30日)，江蘇蘇州人，半導體器件物理學家、微電子科學家，中國半導體科學技術的開拓者和奠基人之壹。
王守武1941同濟大學畢業，1945赴美留學，1949獲美國普渡大學博士學位，1979獲全國勞動模範稱號；1980當選中國科學院院士。
主持研制成功中國第壹臺GaAs半導體激光器；他主持研制成功4000位、16000位DRAM LSI，為我國半導體材料、半導體器件和LSI的研發做出了重要貢獻。。
中文名:王守武。
國籍:中國。
民族:漢族
出生地:江蘇省蘇州市
出生日期:1919年3月15。
死亡日期:2065438+2004年7月30日
職業:教學科研工作者
畢業院校:同濟大學
主要成果:1980當選中國科學院院士。
代表作:半導體中的電子伏打效應理論。
角色的生活
1919年3月15日，王守武出生於江蘇省蘇州市東山鎮。小時候經常被瘧疾糾纏，身體狀況不佳，智力壹度受到影響。上學後，頻繁的病假和持續的自習，讓王守武養成了沈默寡言、內向的性格和善於獨立思考的習慣。
1923年，他4歲的時候，父親和別人去上海辦了壹個機械廠，家也搬了。不到兩年，工廠倒閉，家裏分發了很多加工工具，讓王守武在家裏學會了鉗工配鑰匙、修家電、繞變壓器等技能，培養和磨練了他的動手能力。工作之余，他熱愛數學的父親經常給孩子講壹些有趣的數學，或者給孩子壹些智力測驗來回答。王守武聽了父親關於如何和兄弟姐妹壹起找到圓周率的問題。雖然他不懂，但無理數“π”的特性卻壹直印在他的腦海裏。
1930在王守武私立智敏中小學就讀的王守武在《智敏》第11期發表了壹篇短文《我們現在和未來的責任》。
1934年，父親從北平中央研究院工程研究所退休後回到上海。因為對家鄉的懷念，他家搬回了蘇州。王守武也轉到省立蘇州中學讀書。
1935年，王守武考入同濟大學預科，次年進入工學院機電系。在同濟大學，王守武各科學習順利，成績優異。
1937年，日本帝國主義發動全面侵華戰爭，戰火很快蔓延到上海。8月，日軍飛機接連轟炸吳淞地區，同濟大學的建築被毀。學校被迫從吳淞遷到上海公共租界，不久上海戰事愈演愈烈，隨後學校數次搬遷。由於家鄉蘇州淪陷，王守武壹度與逃亡的父母失去聯系。因為他不知道什麽時候能和家裏聯系上，只能把手裏的錢存起來。他壹般在人力車夫和底層老百姓吃飯的小攤上吃飯。1941年春，同濟大學第六次遷至四川宜賓李莊鎮。在顛沛流離的過程中，王守武結束了他的大學學習。
1941年春，王守武從昆明市郊的同濟大學臨時校舍畢業後，成為昆明的壹名公務員，他的哥哥王守敬是那裏的總經理。壹年後，他加入中國共和翻沙實驗廠，任工務主任。實習結束後，不善言辭的王守武覺得自己不適合工廠管理，於是申請回到母校任教，該校已遷至四川李莊。
1945 10，王守武漂洋過海，進入美國印第安納州普渡大學研究生院學習工程力學，師從R.M.Sturm，次年6月獲得碩士學位。王守武各科成績優異，尤其是數學，受到老師和同學的表揚。為了鼓勵王守武繼續深造，學校資助他攻讀博士學位。這時，新興的量子力學引起了王守武的興趣，他從工程力學轉向研究微觀粒子的運動規律，並以H.M .詹姆斯為導師。兩年後，王守武完成了題為《計算鈉金屬結合能和壓縮系數的新方法》的論文，獲得博士學位。普渡大學工程力學系主任任命後，留校任教。此時，他和同樣就讀於普渡大學的葛秀懷女士組成了壹個溫馨的家庭，過著安靜舒適的生活。
1949年2月至1950年8月在普渡大學任教。
1950年6月25日，朝鮮戰爭爆發。王守武以“回鄉服寡母”為由，提交了回美國的申請。獲批後，在印度駐美大使館的協助下，很快辦完了離美手續。夫妻倆於5438年6月+同年10月，帶著不滿壹歲的女兒離開美國回到家鄉。
1950 10月，去深圳經香港回國。同年6月11起，受聘於中國科學院應用物理研究所。
1950年底，王守武剛剛踏上祖國的土地，上級就交給他壹項緊急任務:為抗美援朝前線的誌願軍運輸隊設計壹種特殊的車燈和路標，讓祖國“最可愛的人”在朝鮮前線夜間行駛，不被敵機發現，不被轟炸。渴望報國的王守武立即組織他所在的應用物理研究所科研人員進行設計和生產。他根據光線在錐面上定向反射的原理，使路標上專門設計的車燈反射的光線只能射向駕駛員的眼睛，從而避免了敵機發現的可能。設計完成後，進行了現場試驗，圓滿完成了任務。
1951年5月，西藏和平解放後，當地政府發現藏民極度缺乏燃料和能源，但高原陽光明媚，於是向中科院提出請求，為他們設計制造太陽竈。受命負責這項設計任務的王守武考慮到大面積拋物面反射鏡的制造難度較大，決定采用由多個窄錐反射鏡組成的反射系統。通過調節每個錐面的傾斜度，平行於主軸方向的光被反射到太陽竈的中心。設計成功後，它可以在15分鐘內燒開壹壺水。這種太陽竈在青藏高原已經發揮作用很久了。
1953年春，中國科學院派員赴蘇聯考察蘇聯科研進展。回國後，代表團訪問了蘇聯，報道了蘇聯在半導體科技方面的巨大成就和快速進步。這些信息使中國科學家，特別是物理學家進壹步認識到半導體科學技術在社會主義建設事業中的重要性，應該大力推動這項工作。因此，中國物理學會常務理事會決定於6月底召開全國半導體物理學術討論會1955+0。
1954年，王守武作為研討會籌備組成員，與同期回國的黃昆、洪、唐定遠合作，翻譯了蘇聯半導體權威學者A.F .約菲所著《近代物理中的半導體》壹書，由科學出版社於1955年出版。65438到0955，黃昆在北大物理系開了半導體物理這門課，這門新課程也是他們四個教的。1956 1這四位專家與後來回國的專家壹起，在物理學會年會上對“半導體”進行了多方面的介紹，希望引起有關方面的重視。王守武報告的題目是“半導體整流器”和“半導體的電子伏打效應理論”。
在此期間，作為半導體科學的開山之作，王守武開展了硒和氧化亞銅整流器的制造條件和性能研究，並從理論上分析了半導體整流器的壹些性能。其研究成果已發表在《中國物理雜誌》上。
1956-1957期間，王守武任清華大學無線電系半導體教研室主任。
1956是王守武科研的壹個關鍵轉折點。因為就在這壹年，王守武被邀請到京西賓館，參與周恩來總理主持的《國家十二年科技發展遠景規劃》的討論和制定。在確定的57個重大科技項目中，發展半導體科技被列為四大應急措施之壹。為了執行這壹緊急任務，中央有關部門決定由黃昆、謝希德、王守武等知名學者對培養人才、從事開拓性研究進行突擊。深知這項工作的重要性，王守武毅然中斷其他科研項目，投身於半導體的研究，組建了中國第壹個半導體實驗室——中國科學院應用物理研究所。
1957年，林蘭英回國，王守武親自到她下榻的賓館，動員她到半導體工作組工作，擔任材料研究組組長，實施矽單晶的繪制方案。在王守武和林蘭英的共同努力下，1965年7月，中國第壹塊矽單晶問世。為了推動我國第二代(晶體管型)電子計算機的研究，在王守武和有關同誌的領導下，1958年成立了我國最早的晶體管廠——中國科學院109廠，從事鍺高頻晶體管的批量生產。在人員和設備困難的情況下，組織全廠作戰。到1959年底，為109 B計算機的研制提供了12個品種、145千多個鍺晶體管，完成了所需的器件生產。
1958年8月，在王守武帶領器件組的王守爵從蘇聯留學歸來，促成了半導體“合金”和“擴散”的雙重工藝，推動了晶體管發展在提高工作頻率上的飛躍，加速了我國第壹批鍺高頻合金擴散晶體管的研制。
1957年春，林蘭英教授從美國回來，被任命為半導體實驗室材料研究組組長。在她的領導下，重新設計了拉制矽單晶的爐子。在王守武和林蘭英的共同努力下，以林蘭英從國外帶回來的矽單晶為籽晶，於1958年7月，我國第壹顆矽單晶問世。
1958年，王守武領導建立了中國最早的晶體管工廠——中國科學院109廠。工廠壹建立，鍺高頻晶體管就馬上開始量產。在人員和設備困難的情況下，他組織全廠全力以赴。到1959年底，他已為計算技術研究所研制109 B計算機提供了12多個品種、145千只鍺高頻合金擴散晶體管，完成了機器所需半導體器件的生產任務，及時為兩彈壹星任務提供了技術保障。
1960年4月，王守武被任命為中國科學院半導體研究所籌建委員會副主任。
1960年9月6日，在原應用物理研究所半導體研究室的基礎上正式成立半導體研究所，任命王守武為第壹業務副所長，負責科研業務管理和開拓分支機構的建立。
65438-0962年，根據國家科委的決定，王守武在半導體所成立了國家半導體測試中心，並兼任中心主任。
從1960到1983，王守武是中國科學院半導體研究所研究員、副所長。
1960年2月，王守武加入中國。
1963年，王守武建立了激光實驗室，並擔任主任。當時，在林蘭英研究員的帶領下，半導體所材料研究室成功研制出砷化鎵單晶材料，從而使從事半導體砷化鎵激光器的研發成為可能。在當時的實驗室條件下，很難用X射線對單晶進行定向。王守武創新了光學定向的新方法，大大加快了研制進程，提高了各道工序的良率。在王守武的帶領下，實驗室於1964年元旦前夕成功研制出我國第壹臺半導體激光器。
1968年春天，時任科委領導專門讓王守武緊急完成壹項從越南戰場帶回來的武器解剖任務。王守武毫不猶豫地登上了去Xi安的航船。文化大革命後期，周恩來總理號召“重視基礎理論研究”。面對半導體所基礎理論研究隊伍遭到“文革”嚴重破壞的困難局面，王守武積極行動，開始了基礎理論研究，對耿氏器件中新發現的疇的雪崩弛豫振蕩進行了深入研究。基於這項工作，論文於1975在美國物理學會年會上宣讀，受到國外同行的好評，並於當年發表在《中國科學》雜誌上。在此基礎上，他開始利用計算機模擬技術分析耿氏器件中的高場疇動力學，取得了壹系列成果，發表了多篇論文。
1978 10，中科院主要領導同誌把王守武請到辦公室，要他出去改變現狀，全面負責大規模集成電路4000位MOS隨機存儲器的研究。
65438-0973，王守武牽頭開展半導體激光器高場疇動力學和疇雪崩研究。65438-0978，主導半導體大規模集成電路及其工藝的研發。
1980年，春節剛過，上級讓王守武到中科院109擔任廠長，推廣4000個大規模集成電路，搞大規模集成電路生產實驗，提高良品率，降低成本。1985獲中國科學院科技進步二等獎。
1980年3月至1985年2月，王守武還兼任中科院109廠廠長。1980當選中國科學院院士(院士)，開始擔任《半導體學報》主編。
1986 65438+10月，在王守武的倡議下，上級將半導體所從事大規模集成電路研究的整個團隊並入109廠，組建中科院“微電子中心”。王守武，年事已高，被任命為中心終身名譽主任。王守武從此離開了現在的工作，專門從事學術研究。
2014年7月30日6: 06，王守武在美國逝世，享年95歲。
主要成就
科研成果
中國第壹家晶體管廠建於1958年。從1963開始，他致力於GaAs激光器的研究，創造了簡單的光學定向方法，並推動了我國第壹臺GaAs激光器的研制成功。1973以來，在領導GaAs高場疇動力學和PNPN負阻激光器瞬態及光電特性研究過程中，提出了壹些獨到的學術觀點。從65438年到0978年，他帶領科技人員進行了提高大規模集成電路芯片成品率的研究，解決了壹系列技術難題，使我國大規模集成電路芯片成品率顯著提高，成本大幅降低。
1979年，由於4000位MOS動態隨機存儲器的研制成功，“提高N溝道MOS4096×1位DRAM的die良率研究”獲得中科院壹等獎1980年，由於“16K位MOS動態隨機存儲器”的研制成功，獲中國科學院重大科技成果獎壹等獎，1985大規模集成電路生產工藝試驗線建設成功獲中國科學院科技進步二等獎，參與指導半導體雙穩態激光器研究獲中國科學院科技進步二等獎， 以及1987參與世界新技術革命與中國對策研究獲科學院科技進步獎二等獎。
人員培訓
1958年，以中國科學院院長郭沫若為首的中國科學技術大學成立。王守武任物理系(二部)副主任兼半導體專業主任，給高年級學生講授半導體物理(二)至1980。在此期間，學校半導體專業的教學內容和科研方向由王守武安排制定，包括安排學生去半導體研究所實習和畢業論文。他的努力取得了豐碩的成果，他的許多學生現在已經成為半導體技術領域的支柱人才。
榮譽表彰
1979獲全國勞動模範稱號；1980當選中國科學院院士。
社會公益服務
個人生活
1919、王守武出生於蘇州東山名門莫_王。其祖父王是晚清著名的史學家、文學家，主張經世致用。他的祖母謝昌達是蘇州著名的女權運動先驅。她曾組織過宣傳婦女解放獨立的動員會，與人合辦振華女校。
王守武的父母都是好學之人，幾乎都是中國近代科學早期的先驅人物。王繼烈叔叔是清末民初的物理教育家。他翻譯和編寫了許多科學教科書，是最早提倡用“物理學”來翻譯西方語言中的物理壹詞的人。王繼典大叔畢業於東京工業大學應用化學系，熱心於“實業救國”。曾創辦火柴公司、北京玉泉釀造公司，擔任董事長，參與技術指導。王叔叔是我國最早的機械工程專家之壹。曾在北京大學、北平工學院任教，並擔任北洋大學工程學院代理院長。王守武的姑姑們也接受了現代教育。他們或留學日本、美國，或考上清華等名校。王阿姨Ji _1918在美國芝加哥大學獲得博士學位，是中國第壹位女博士。
在家庭教育上，王守武受父親王季同影響很大。他的父親王季同在機械工程和數學方面造詣很高。曾以清政府歐洲留學生監理處隨員身份赴英，在英國電氣公司和德國西門子電機廠實習。迄今為止，中國學者最早在國際學術刊物上發表近代數學論文，參與中央研究院籌備工作，後來在工程研究所擔任專職研究員，直至退休。
王守武還記得父親告訴我們怎麽求圓周率，自然對數，對數的底數。王季同曾經從二手攤上買過壹臺舊手搖電腦。他給孩子們演示了如何用它來計算，比如如何計算自然對數的底數E。王家的孩子大多天資聰穎。王吉出智力測試題時，哥哥姐姐們常常搶著答，而王守武體弱多病，不愛說話。那時候在哥哥姐姐們眼裏，他就是個木哥哥。其實數學的種子已經深深埋在了這個“傻孩子”的心裏。中學的時候，王守武完成了壹篇關於圓周率的數學論文。
王家有各種加工工具和材料，孩子們壹起配鑰匙，修理家用電器，風力變壓器，連接簡單電路，制作電磁鐵等等。在這樣的家庭氛圍中，王家的孩子後來也取得了很大的成就。王守武有12個兄弟姐妹，其中5個英年早逝，長成了7個。除了王守武、王守爵兩位中科院院士外，其中還有與林齊名的中國婦產科學奠基人之壹、留美醫學博士。有王守敬，中國第壹位在1928獲得哥倫比亞大學哲學博士學位的學者，在研究量子力學方面有很大成就。有王明貞，中國著名的最早的女物理學家之壹，清華大學第壹位女教授。
在獲得博士學位之前，1948年5月，王守武與三年同學葛秀懷女士結婚。結婚後，中國學生經常來王家家聚會。當時在普渡讀書的鄧稼先是王守武家的常客之壹。總部設在芝加哥的中國留美科學家協會在普渡成立了壹個分會。鄧稼先是普渡分會的幹事之壹，所以王守武參加了科協留美的活動。
性格評估
在我國半導體界享有崇高威望的半導體物理學家和微電子科學家王守武，以發展我國半導體科學為己任，並為此奮鬥終生。
他高瞻遠矚，富有開拓精神，勇於以發展國民經濟和增強綜合國力為出發點，探索新領域，贏得新成就；他對工作非常認真，壹絲不茍，重視實踐，註重實效，嚴格遵循科學規律；他忠厚老實，待人熱情謙和；他的風格是民主和平易近人的。無論是在學術討論中，還是做其他工作時，他總是謙虛謹慎，平等待人，談名利。像他的科學成就壹樣，他贏得了人們的愛戴和尊敬。
王守武先生心胸開闊，克己奉公，嚴於律己，寬厚待人，對黨、對國家、對人民忠心耿耿。他用無私的奉獻書寫了精彩的人生，為我們樹立了光輝的榜樣。他的壹生是為科學事業不懈奮鬥的壹生，他的逝世是科學界的巨大損失。
王守武是我國著名的半導體器件物理學家和微電子科學家。中國第壹個半導體實驗室、半導體器件廠、半導體研究所、國家半導體測試中心的創始人。
性格影響
2006年6月165438+10月，王守武夫婦捐資4萬元，在湖北省鄂州市林澤高級中學設立“英才獎學金”，獎勵成績優異、家庭貧困的學生。