1，中國蘇州能訊
能訊半導體成立於2007年，采用集成設計與制造(IDM)模式，自主研發氮化鎵材料生長、芯片設計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性和應用電路技術。
主要產品:GaN射頻功率晶體管，無線通信GaN射頻功率放大管，GaN HEMT管。
核心技術及應用:能訊GaN功放管產品在寬帶信號下具有高輸出效率和高增益，應用簡單，適用於LTE、4G、5G等移動通信的超寬帶功放應用。
氮化鎵HEMT芯片可以支持客戶在DC-6GHz範圍內的超寬帶應用，具有業界領先的功率密度、效率和可靠性，適用於緊湊型RF放大器模塊以及通用或個人通信子系統。
2.蘇州詹靜
成立於2012，位於蘇州納米城，致力於GaN外延材料的研發和產業化。？截至目前，詹靜半導體已完成A+輪融資，擴大生產規模。
產品:矽上氮化鎵，碳化矽上氮化鎵，藍寶石上氮化鎵。
技術與應用:矽基、藍寶石基、碳化矽基氮化鎵外延片產品具有極高的電子遷移率和二維電子氣濃度，以及極小的緩沖層泄漏。用於微波射頻和電力電子；目前可以提供6英寸和8英寸的矽基氮化鎵晶圓材料。
3.珠海創新科技
成立於2015、12，引進美國Innoseco公司SGOS技術。
產品:單管氮化鎵場效應管，半橋氮化鎵場效應管，氮化鎵集成電路。
技術與應用:8英寸矽基氮化鎵產業化平臺，擁有完善的氮化鎵外延生長、無金矽CMOS兼容工藝制造，以及自身的可靠性測試和失效分析能力。應用於激光雷達、無線充電和快充、數據中心、5G通信、人工智能和新能源汽車。
4.重慶華潤微
公司成立於2000年，是2065438+2008中國十大半導體企業中唯壹壹家，主要以IDM模式運營。
產品:8英寸矽基氮化鎵生產線，國內首臺8英寸600V/10A GaN功率器件產品技術及應用:專註於功率半導體和智能傳感器領域，為客戶提供壹系列半導體產品和服務。
5.杭州斯蘭威
成立於9月，1997，總部位於中國杭州。
2003年上市產品:國內某知名IDM企業建成6英寸矽基氮化鎵功率器件中試線。
6.重慶巨力城
我們成立於2065438+2008年9月，在重慶大足區建立了GaN-on-Si外延片基地。
產品:GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延片材料，GaN功率器件。
技術與應用:目前，GLC正在重慶大足區建設GaN-on-Si外延片廠壹期工程。現在外延片已經進入量產階段。整個項目擬建設年產654.38+20萬片GaN外延片生產線和年產36萬片GaN芯片生產線。
7.臺灣集成電路制造業
成立於1987和2019，太極公司及其子公司擁有和管理的年生產能力超過1200萬片12英寸晶圓。
產品工藝:6英寸氮化鎵矽。
8.三安集團
成立於2000年6月，11，位於廈門。
產品:650伏0.5微米氮化鎵/矽，200伏/100伏0.5微米氮化鎵/矽。
技術和應用:三安集成GaN e-HEMT技術服務於消費和工業應用，如適配器/充電器、電信/服務器smp、無線電源、車載充電器(OBC)和經濟高效的解決方案。
9.蘇州捷信威
成立於2013，海歸創辦於蘇州工業園區，捷信威子公司在氮化鎵電力電子技術領域擁有100多項國內外發明專利。專利布局包括材料、器件、工藝和應用；該地區涵蓋中國、美國、歐洲和日本。
產品:矽基氮化鎵電力電子器件和藍寶石基氮化鎵電力電子器件技術及應用:650V GaN FET，BVds≥650V，IDS > 10A，導通電阻Ron < 0.15ω。它可用於PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、無線電力傳輸、電源適配器、無線電源和快速充電。
單管耐壓超過2000V的藍寶石基氮化鎵高壓保護開關器件，單管耐壓2000V，導通狀態下導通電阻低於1ω，關斷狀態下泄漏低於1uA/mm。
10，大連芯冠
2016 3月17成立於大連高新區，公司采用壹體化設計制造(IDM)的商業模式。
產品:矽基氮化鎵外延片，矽基氮化鎵功率電子器件。
技術與應用:建成首條6英寸矽基氮化鎵外延及功率器件晶圓生產線。2065438+2009年3月，新冠科技在國內率先推出650伏矽基氮化鎵功率器件(通過1000小時HTRB可靠性測試)，並正式投放市場。