三星電子8月30日表示，建築面積為16足球場(128900平方米)的平澤第二半導體工廠已經生產出首批D-RAM產品。該工廠將負責生產半導體行業首款采用EUV(極紫外光刻)技術的尖端第三代10納米(1z) LPDDR5移動D-RAM產品。
三星電子表示，“從量產D-RAM產品開始，平澤第二工廠還將建設新壹代V NAND和超細OEM產品生產線，成為高科技綜合生產工廠，為公司在第四次工業革命時代打開半導體技術的缺口發揮核心作用。”
為滿足市場對EUV工藝尖端產品的需求，三星電子今年5月開始在平澤二廠建設代工生產線，6月開始建設NAND閃存半導體生產線，以滿足市場對尖端V NAND產品的需求。這兩條流水線將於2021下半年投產。
三星電子在2018年8月宣布180萬億韓元的投資計劃並創造4萬個工作崗位後，開始投資建設平澤第二工廠。
繼平澤1工廠之後，預計平澤2工廠的總投資規模將達到30萬億韓元以上。其中，三星電子將直接雇傭4000人，包括其供應商和其他合作夥伴及建築商，* * *將創造3萬多個就業崗位。
平澤1工廠於2015年開工建設，占地面積289萬平方米，2017年6月投產。
平澤二廠生產的16Gb LPDDR5移動D-RAM產品是EUV科技量產的第壹款內存芯片。三星電子表示，這款產品擁有全球最大的容量和最快的運行速度，是業界首款第三代10 nm (1z) LPDDR5產品。
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