龍世兵研究組在氧化鎵異質結初步研究的基礎上，成功地將異質結終端擴展結構應用於氧化鎵肖特基二極管。本研究通過合理的設計優化JTE區的電荷濃度，保證二極管的正向特性不受影響，最大限度地削弱肖特基邊緣電場，從而有效提高器件的耐壓。
中國科學院院士郝躍表示，氧化鎵是未來最有可能發光的材料之壹。未來65，438+00年，氧化鎵器件可能成為有競爭力的電力電子器件，將直接與碳化矽器件競爭。業內普遍認為，氧化鎵有望取代碳化矽和氮化鎵，成為新壹代半導體材料的代表。目前，世界各地的半導體企業都在爭相布局，氧化鎵正逐漸成為冉冉的後起之秀。
公開資料顯示，氧化鎵具有優異的物理性能，如超寬帶隙(4.2-4.9eV)、超高臨界擊穿場強(8MV/cm)、超高透明電導率等。導電特性約為碳化矽的10倍，理論擊穿場強約為碳化矽的3倍，可有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發電等領域的能耗。
根據NCT的預測，到2030年，氧化鎵晶圓的市場規模將達到約590億日元(約合4.2億美元)。據統計，到2030年，氧化鎵功率半導體市場規模將達到6543.8+0.5億美元。
目前，在氧化鎵單晶襯底的供應上，日本NCT公司占據了全球90%以上的市場份額。國內有很多研究氧化鎵的機構和大學，也取得了很多研究成果。預計在應用場景和需求逐漸清晰後，科技成果會進行轉移。
據財聯社不完全統計，今年以來，已有多家上市公司在互動交流中披露了氧化鎵相關業務的研發情況，包括AVIC、新湖寶藏、中鋼國際、小藍科技、南大廣電、阿什創等。，如下所示:
此外，中國西電子公司西電電力持有陜西省半導體中試技術中心股份，轉化了氧化鎵、金剛石半導體、石墨烯、AIN、化合物集成電路等創新科研成果。
但值得註意的是，分析人士表示，目前，約80%的研究機構都在向功率器件方向努力。但由於氧化鎵材料適用於大功率領域，意味著其下遊應用不能從消費電子開始，需要從工業領域、新能源汽車等領域慢慢引入，所以氧化鎵的下遊應用還需要時間。